Samsung разработала экспериментальный тип флеш-памяти, который работает на напряжении всего 4–6 В вместо привычных 15–20 В, что значительно снижает энергопотребление, пишет El.kz со ссылкой на Nature.

Инженеры объединили сегнетоэлектрические транзисторы и оксидные полупроводники. В основе – транзистор FeFET с диэлектриком из легированного цирконием оксида гафния и каналом из IGZO, используемого в низкоэнергетических дисплеях.

Новая архитектура выдерживает более 100 тысяч циклов записи, сохраняет данные более 10 лет и поддерживает до 5 бит на ячейку. Энергозатраты на запись и стирание, по оценке Samsung, сокращаются на 96% по сравнению с 3D NAND.

Технология совместима с современными CMOS-процессами, что позволяет вертикальную компоновку и масштабирование при сохранении характеристик. Она может найти применение в энергоэффективной памяти для смартфонов, IoT-устройств и дата-центров.

El.kz также сообщал о том, что необычный смартфон Samsung готовят к выходу в декабре.