5 Июня, 11:58
Братская любовь: как правители Тюркского каганата Бильге и Культегин делили властьУченые Массачусетского технологического института (MIT) разработали технологию, которая позволит «выращивать» транзисторы атомарного уровня непосредственно на поверхности кремниевых микросхем. Это позволит создавать компьютерные чипы с большей плотностью транзисторов и более высокой производительностью, сообщает ИА El.kz
Учёные продемонстрировали новую технологию, которая позволяет эффективно и качественно «выращивать» слои двумерных материалов непосредственно на полностью готовом кремниевом чипе.
Исследователей MIT разработала низкотемпературный процесс выращивания, который не повреждает чип.
В прошлом исследователи выращивали двумерные материалы отдельно, а затем переносили эту тончайшую плёнку на чип. Новый процесс позволяет вырастить равномерный, однородный слой на всей поверхности пластины менее чем за час.
Ученые выращивают тонкие пленки дисульфида молибдена на поверхности кремниевой пластины для чего требуется температура около 400 градусов Цельсия.
В будущем исследователи хотят наносить транзисторы на текстиль или даже бумагу. Кроме того, технология позволит сделать компьютеры еще более мощными.
5 Июня, 11:58
Братская любовь: как правители Тюркского каганата Бильге и Культегин делили власть5 Июня, 09:02
Как одевались модницы Золотой Орды: шёлк, бокка и золото степной аристократии4 Июня, 09:08
В Алатау дроны будут доставлять людям посылки3 Июня, 12:22
Как получить участок под ЛПХ в Казахстане в 2026 году